Ли Фанхуа - Li Fanghua
Ли Фанхуа | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
李方华 | |||||||
| Родившийся |
6 января 1932 г. |
||||||
| Умер | 24 января 2020 г. (88 лет)
Пекин , Китай
|
||||||
| Альма-матер |
Университет Сунь Ятсена Уханьский университет Санкт-Петербургский государственный университет |
||||||
| Супруг (а) | Фан Хайфу | ||||||
| Награды | Награды L'Oréal-ЮНЕСКО для женщин в науке (2003 г.) | ||||||
| Научная карьера | |||||||
| Поля | Электронный микроскоп | ||||||
| Учреждения |
Китайская академия наук Всемирная академия наук |
||||||
| китайское имя | |||||||
| Традиционный китайский | 李方華 | ||||||
| Упрощенный китайский | 李方华 | ||||||
| |||||||
Ли Фанхуа ( кит . :李方华; 6 января 1932 - 24 января 2020) был китайским физиком, родившимся в Гонконге. Она была членом Китайской академии наук , Всемирной академии наук и Международного союза кристаллографии . Она также была директором Китайского общества физиков и Китайского союза кристаллографии и редактором журнала Китайского общества электронной микроскопии , J. Electron Microscopy , Chinese Physics Letter и Chinese Journal of Physics .
Ли выиграла премию L'Oréal-ЮНЕСКО для женщин в науке в 2003 году. Она свободно говорила на английском, французском, немецком, японском и русском языках.
биография
6 января 1932 года Ли Фанхуа родился в Гонконге. Поскольку его отец был деловым партнером в Гонконге, он поселился в Гонконге. Его отец Ли Цзюн участвовал в Революции 1911 года в первые годы своей жизни и служил генерал-майором 4-й армии Национально-революционной армии.
В 1937 году, после инцидента в Лугоуцяо, чтобы избежать японских захватчиков, они перевезли свою семью в округ Дэцин провинции Гуандун.
В 1938 году ее мать забрала своего старшего брата, младшего брата и ее обратно в Гонконг в одиночку ради учебы детей. Год спустя она переехала в Шанхай со своими соседями. Три года спустя она переехала в дом бабушки Пекина. Пекинская средняя школа № 56).
В 1947 году ее мать отвезла ее и ее младшего брата обратно в Гуанчжоу, а отец устроил ей обучение во втором классе средней школы для девочек Пэйдао.
В 1949 году, когда он окончил среднюю школу, Ли Фанхуа был направлен на факультет физики Университета Лингнань, и в то же время он был принят на факультет астрономии Университета Сунь Ятсена. В сентябре она поступила в Лингнаньский университет. Поскольку учителя часто используют английский язык для чтения лекций, она часто обращается к английским справочникам после уроков, чтобы улучшить свои навыки чтения на английском языке. В октябре Гуанчжоу освободили, открыли государственные школы, и она перешла на факультет астрономии Университета Сунь Ятсена. Но из-за частого перерыва в занятиях, игры на барабанах и выхода на улицу для политической пропаганды она хотела перейти в школу с большим количеством занятий.
В 1950 году Ли Фанхуа поступил на физический факультет Уханьского университета и все еще учился на первом курсе.
В 1952 году государство отбирало студентов второго курса колледжей и университетов для сдачи экзамена на обучение за границей в Советском Союзе. Уханьский университет рекомендовал Ли Фанхуа сдать экзамен и был принят. В марте Ли Фанхуа поступила на подготовительное отделение Пекинской школы русского языка по специальности русский язык. Осенью того же года я уехал в Советский Союз и поступил на физический факультет Ленинградского университета, государственного университета бывшего Советского Союза. Были также трое бывших студентов физического факультета Университета Цинхуа: Цин Чэнжуй, Гу Ифань и Хуан Шэннянь. Чтобы сократить продолжительность обучения, Ли Фанхуа и четверо из них вместе боролись за переход во второй класс и получили одобрение декана факультета.
В 1955 году Ли Фанхуа был учителем Ми. Азия. Под руководством Рамса (М.Α.Яумшь) он начал готовить дипломную работу, называвшуюся «Исследование дифракции электронов на тонких пленках испаренного металлического висмута in-situ».
В 1956 году Ли Фанхуа окончил физический факультет Ленинградского университета в Советском Союзе.
В 1960 году Ши Рувэй (тогдашний директор Института физики Китайской академии наук) организовала для Ли Фанхуа независимое исследование дифракции электронов, чтобы она могла перенести научные знания, полученные в Советском Союзе, в Китай. Исследование структуры "монокристаллической дифракции электронов".
В октябре 1982 года Ли Фанхуа отправился на факультет прикладной физики Университета Осаки в Японии в качестве приглашенного исследователя (до мая 1983 года) и привез два новых минерала, добываемых внутри страны: руду Хуанхэ и бастнаезиевую руду, надеясь использовать японские сверхвысокие минералы. разрешение Есть новые открытия в отечественных минералах с помощью электронного микроскопа. [6]
В 1984 году исследовательская группа Ли Фанхуа получила вторую премию Китайской академии наук за научные и технологические достижения за проект «Создание изображения решетки и прямое наблюдение кристаллической структуры» [6].
В 1991 году Ли Фанхуа стал лауреатом премии Китайского физического общества по физике Е Цисунь [6].
В 1992 году Ли Фанхуа выиграл Первую награду Хашимото Дзиро (личная награда) Китайского общества электронной микроскопии [6].
В 1993 году Ли Фанхуа был избран академиком Китайской академии наук [6].
В 1996 году Ли Фанхуа занимал пост председателя Китайского общества электронной микроскопии (до 2000 года) [6].
В 1998 году Ли Фанхуа был избран академиком Академии наук третьего мира [6].
В 2002 году, когда ей исполнилось 70 лет, академический журнал "Ультрамикроскопия" Международного общества электронной микроскопии опубликовал специальный выпуск, посвященный ее юбилею. 20 лет назад, рабочие фотографии в конференц-зале Института физики Китайской академии наук, на втором - академик Ли Фанхуа и академик Фань Хайфу. Фань Хайфу - академик Китайской академии наук и академик Академии наук третьего мира. Он также является мужем академика Ли Фанхуа. [6]
27 февраля 2003 года Ли Фанхуа выиграла Всемирную премию L'Oréal-ЮНЕСКО за выдающиеся достижения в области женских ученых и стала первым китайским ученым, получившим эту награду. [6]
В 2009 году Ли Фанхуа выиграл премию Фонда Хэ Лян Хэ Ли за научно-технический прогресс; в том же году была опубликована монография «Электронная кристаллография и обработка изображений» [6].
Личная жизнь
Ли был женат на коллеге-физике Фань Хайфу .
Главное достижение
Резюме исследования
В 1985 году Ли Фанхуа вывел новое практическое приближенное аналитическое выражение для интенсивности изображения с высоким разрешением, установил практическую теорию контраста изображения и решил теоретические основы применения электронной кристаллографической обработки изображений на практике. Ее исследования способствуют развитию смежных дисциплин и предоставляют информацию о кристаллической структуре новых материалов, которая помогает выявить законы взаимосвязи между свойствами материала, структурой и технологией. Содержание ее исследования включает: [7]
(1) Электронная микроскопия высокого разрешения и электронная кристаллография.
В начале 1960-х Ли Фанхуа впервые провел в Китае дифракцию электронов, чтобы определить структуру монокристалла. В Китае он впервые определил положение атомов водорода в кристалле. Соответствующую литературу до сих пор цитируют зарубежные коллеги [8].
В 1970-е годы Ли Фанхуа и Фань Хайфу совместно исследовали комбинацию дифракционных методов и электронной микроскопии высокого разрешения и создали новую теорию обработки изображений и технологию в электронной микроскопии высокого разрешения. Позже она и ее ученики разработали технологию обработки размотки, основанную на принципе максимальной энтропии. Это важный способ определения крошечной кристаллической структуры. Его успешно применяли для определения кристаллической структуры таких материалов, как высокотемпературные сверхпроводники [8].
Во время обучения в Японии в 1980-х годах Ли Фанхуа обобщил новые экспериментальные правила и разработал метод определения положения легких атомов. На этой основе, вернувшись в Китай, она предложила новую теорию контраста изображения: «приближение псевдослабых фазовых объектов». Эта теория впервые прояснила взаимосвязь между интенсивностью изображения и толщиной кристалла и выявила закон изменения интенсивности различных изображений атомов. , Является теоретической основой упомянутой выше технологии обработки изображений. Под руководством этой теории Ли Фанхуа и др. впервые экспериментально наблюдали атомы лития в кристаллах. Кроме того, она участвовала в ранних исследованиях высокотемпературных сверхпроводящих материалов с помощью электронной микроскопии высокого разрешения и была одной из первых групп в мире, которые сообщили о наличии или отсутствии соизмеримых структур модуляции висмутовых сверхпроводников [8]. ]
(2) Квазикристалл
Группа исследователей во главе с Ли Фанхуа впервые обнаружила и сообщила о почти непрерывном процессе перехода между квазикристаллами и кристаллами, и она дала теоретическое объяснение. Ли Фанхуа использовал поле фазовой суб-деформации для вывода некоторых формул, отражающих взаимосвязь между квазикристаллом и кристаллом, и на этой основе предложил новый метод определения структуры квазикристалла, а также определения локальной фазовой суб-деформации. -деформация в квазикристалле. метод. И успешно применяется к квазикристаллам Al-Cu-Li и Al-Mn-Si. [8]
(3) Кристаллические дефекты.
Для недавно разработанного автоэмиссионного электронного микроскопа Ли Фанхуа предложил новое направление исследований для измерения дефектов кристаллов с атомным разрешением. В настоящее время она успешно измерила 60-градусную дислокацию на границе эпитаксиальной пленки SiGe / Si на две неполные дислокации под 90 и 30 градусами и кусок дефекта упаковки, зажатый между ними. Это также первое сообщение о дефекте атомного разрешения на границе раздела эпитаксиальной пленки SiGe / Si [8].
Рекомендации